Il-metodu tat-tidwib tal-karbur tas-silikon, il-materja prima użata biex jiġi sintetizzat il-karbur tas-silikon huwa prinċipalment gangue b'SiO2 bħala l-komponent ewlieni. Karbur tas-silikon ta 'grad baxx jista' juża antraċite b'irmied baxx bħala materja prima. Il-materja prima awżiljarja hija serratura u melħ. Il-karbur tas-silikon huwa disponibbli bl-iswed u l-aħdar.
Meta tidwib tal-karbur tas-silikon aħdar, huwa meħtieġ li l-kontenut ta 'SiO2 fil-materja prima tas-silikon ikun għoli kemm jista' jkun u l-kontenut ta 'impurità huwa baxx kemm jista' jkun. Meta tipproduċi karbur tas-silikon iswed, il-kontenut ta 'SiO2 fil-materja prima siliċika jista' jkun kemmxejn aktar baxx. Ir-rekwiżiti għall-kokk taż-żejt huma li l-kontenut tal-karbonju fiss huwa għoli kemm jista 'jkun, il-kontenut ta' rmied huwa inqas minn 1.2%, u l-materja volatili hija inqas minn 12.0%. Id-daqs tal-partiċelli tal-kokk taż-żejt huwa ġeneralment taħt 2mm jew 1.5mm. Ċipep tal-injam jintużaw biex jaġġustaw il-permeabilità tal-arja tal-ċarġ, u l-ammont ta 'żieda tas-soltu huwa 3%-5% (volum). Melħ tal-mejda jintuża biss meta tidwib tal-karbur tas-silikon aħdar.
Materja prima tas-silikon u kokk taż-żejt jiġġeneraw karbur tas-silikon permezz tar-reazzjoni li ġejja f'forn ta' reżistenza fi grad 2000-2500: SiO2+3C→SiC+2CO↑-526.09Kj CO huwa mormi mill-ċarġ tal-forn. Iż-żieda tal-melħ tista 'tirreaġixxi ma' Fe, Al u impuritajiet oħra biex tifforma klorur u volatilizzah. Iċ-ċipep tal-injam jagħmlu l-materjal jifforma korp sinterizzat poruż, li jiffaċilita l-iskariku tal-gass CO.
Il-karatteristika tal-formazzjoni tal-karbur tas-silikon hija li ma tgħaddix mill-fażi likwida. Il-proċess huwa kif ġej: li jibda minn madwar 1700 grad, il-materja prima tas-silikon tinbidel minn ramel għal tidwib u mbagħad għal fwar (duħħan abjad); SiO2 jiddewweb u drill bil-fwar fil-materjal karboniku Il-pori jippenetraw fil-partiċelli tal-karbonju, u sseħħ reazzjoni biex tiġġenera Sic; meta t-temperatura titla 'għal 1700 ~ 1900 grad, b-SiC jiġi ġġenerat; meta t-temperatura tkompli togħla għal 1900-2000 grad , il-b-SiC multa tittrasforma f'a-SiC , il-ħbub a-SiC gradwalment jikbru u jsiru densi; it-temperatura tal-forn titla 'għal madwar 2500 grad, u SiC jibda jiddekomponi fi fwar tas-silikon u grafita.
